該設(shè)備為真空或者氣氛保護條件下的晶體生長設(shè)備,樣品處理位于管內(nèi),兩端均有真空法蘭密封。上端通過壓縮波紋管和真空旋轉(zhuǎn)接頭與電機相連??蓾M足樣品在真空或者氣氛條件下的旋轉(zhuǎn)和提拉。
保溫材料采用真空吸附成型的氧化鋁纖維無機材料,環(huán)保節(jié)能,不含污物,潔凈,美觀。加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒,性能優(yōu)越,環(huán)形加熱結(jié)構(gòu)設(shè)計,提高設(shè)備使用穩(wěn)定性。
控溫方式:采用智能 PID 程序控制,控溫精度高、重復(fù)性好,具有超溫和斷偶報警功能。方便用戶自行探索所長晶體最適合的溫度梯度。
提拉機構(gòu)控制系統(tǒng):采用伺服電機系統(tǒng),提拉速度均勻穩(wěn)定,改善單晶生長環(huán)境。
設(shè)備固定裝置預(yù)留好連接桿的固定裝置,可用于連接鉑金絲或者提拉桿。(鉑金絲用戶自配)標配有1套提拉桿,用于連接客戶生長晶體所用的籽晶桿。
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